半导体材料研究进展(第一卷)
作 者:王占国、郑有炓等
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    本书首先回顾了半导体材料的发展史,简述了半导体材料的生长机理和现代半导体材料制备与表征新技术;然后对元素半导体锗、硅单晶材料以及硅基异质结构材料的制备、物性及其在微电子、光伏电池和光电集成方面的应用做了概述;接着介绍以GaAs、InP为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物单晶衬底材料、超晶格量子阱、量子线和量子点材料及应用,宽禁带GaN基Ⅲ族氮化物异质结构材料和SiC单晶、外延材料及其相关器件应用;进而重点描述近年来得到迅速发展的以ZnO为代表的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的研究现状与发展趋势;最后分别介绍HgCdTe等半导体红外探测材料和金刚石与立方氮化硼半导体材料的最新研究进展。

    本书可作为高等院校、科研院所从事电子科学与技术、微电子和光电子学、电子工程与材料科学等专业的研究生和科研工作者的参考读物。

关键词 材料类
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第一章 绪论   
摘要   HTML PDF (1 MB) ( ) P. 21-49
第二章 现代半导体材料制备和表征技术   
摘要   HTML PDF (5 MB) ( ) P. 50-122
第三章 元素半导体材料锗和硅   
摘要   HTML PDF (4 MB) ( ) P. 124-211
第四章 硅基异质结构材料   
摘要   HTML PDF (3 MB) ( ) P. 212-252
第五章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料   
摘要   HTML PDF (3 MB) ( ) P. 254-329
第六章 Ⅲ族氮化物半导体材料   
摘要   HTML PDF (4 MB) ( ) P. 330-374
第七章 SiC半导体材料   
摘要   HTML PDF (3 MB) ( ) P. 376-416
第八章 Ⅱ-Ⅵ族半导体材料   
摘要   HTML PDF (5 MB) ( ) P. 418-497
第九章 红外半导体材料   
摘要   HTML PDF (1 MB) ( ) P. 498-571
第十章 半导体金刚石和立方氮化硼材料   
摘要   HTML PDF (3 MB) ( ) P. 572-642
前辅文   
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