购物车
申请加入邮件组
English
高级检索
图表检索
首页
图书
期刊
首页
图书
期刊
院士风采
作者服务
订购指南
下载中心
音视频讲座
图片集
书刊相关资料
书刊目录
丛书简介
力学基础与工程技术前沿
半导体材料研究进展(第一卷)
作 者:
王占国、郑有炓等
ISBN:978-7-04-030699-6 出版时间:2011-11-16
全书目录
本章目录
内封
版权
目录
第一章 绪论
第二章 现代半导体材料制备和表征技术
第三章 元素半导体材料锗和硅
第四章 硅基异质结构材料
第五章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料
第六章 Ⅲ族氮化物半导体材料
第七章 SiC半导体材料
第八章 Ⅱ-Ⅵ族半导体材料
第九章 红外半导体材料
第十章 半导体金刚石和立方氮化硼材料
前辅文
2.1 现代半导体材料制备技术
2.1.1 引言
2.1.2 分子束外延技术
2.1.3 金属有机气相外延技术
2.1.4 其他外延生长技术
2.2 现代半导体材料表征技术
2.2.1 引言
2.2.2 扫描探针显微技术
2.2.3 反射差分谱
2.2.4 扫描近场光学显微镜
参考文献
第二章 现代半导体材料制备和表征技术
PDF在线阅读 (5 MB)
HTML
Book Metrics
引用导出
点击:
次
下载:
次
相关资源
相关词条
第二章 现代半导体材料制备和表征技术
引用导出
RIS (for EndNote, Reference Manager, ProCite)
BibTeX
Text