第三章元素半导体材料锗和硅

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半导体材料研究进展(第一卷) 作者：王占国、郑有炓等　　 ISBN：978-7-04-030699-6　出版时间：2011-11-16

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目录

第一章绪论

第二章现代半导体材料制备和表征技术

第三章元素半导体材料锗和硅

第四章硅基异质结构材料

第五章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料

第六章 Ⅲ族氮化物半导体材料

第七章 SiC半导体材料

第八章 Ⅱ-Ⅵ族半导体材料

第九章红外半导体材料

第十章半导体金刚石和立方氮化硼材料

前辅文
- 3.1 锗的制备技术和应用进展
- 3.1.1 锗的研究和应用
- 3.1.2 锗的基本性质
- 3.1.3 金属锗的制备
- 3.1.4 高纯锗的制备
- 3.1.5 锗单晶的制备
- 3.2 高纯多晶硅的制备技术
- 3.2.1 硅的基本性质和应用
- 3.2.2 金属硅的制备技术
- 3.2.3 化学法制备多晶硅技术
- 3.2.4 物理冶金法制备多晶硅技术
- 3.3 微电子硅材料进展
- 3.3.1 微电子硅材料的研究和应用
- 3.3.2 大直径硅晶体的生长和加工
- 3.3.3 晶体硅的缺陷工程和杂质工程
- 3.3.4 外延硅薄膜的生长
- 3.3.5 新型硅基薄膜
- 3.3.6 纳米硅制备及其在纳电子的应用
- 3.3.7 硅基发光和硅基光电子
- 3.4 太阳能硅材料进展
- 3.4.1 太阳能硅材料的研究及应用
- 3.4.2 直拉硅单晶的生长和加工
- 3.4.3 铸造多晶硅的生长和加工
- 3.4.4 非晶硅薄膜的进展
- 3.4.5 带硅的应用和进展
- 3.4.6 纳米硅太阳能电池的应用
- 参考文献

第三章元素半导体材料锗和硅

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