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书刊目录
丛书简介
力学基础与工程技术前沿
半导体材料研究进展(第一卷)
作 者:
王占国、郑有炓等
ISBN:978-7-04-030699-6 出版时间:2011-11-16
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本章目录
内封
版权
目录
第一章 绪论
第二章 现代半导体材料制备和表征技术
第三章 元素半导体材料锗和硅
第四章 硅基异质结构材料
第五章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料
第六章 Ⅲ族氮化物半导体材料
第七章 SiC半导体材料
第八章 Ⅱ-Ⅵ族半导体材料
第九章 红外半导体材料
第十章 半导体金刚石和立方氮化硼材料
前辅文
5.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶材料
5.1.1 引言
5.1.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物体单晶材料的主要生长技术简介
5.1.3 GaAs体单晶材料
5.1.4 InP体单晶材料
5.1.5 GaP体单晶材料
5.1.6 InAs体单晶材料
5.1.7 GaSb体单晶材料
5.1.8 其他Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶材料简介
5.1.9 主要Ⅲ-Ⅴ族化合物单晶材料的发展趋势
5.2 半导体低维量子结构材料
5.2.1 Ⅲ-Ⅴ族半导体多量子阱材料和器件
5.2.2 量子级联材料和器件
5.2.3 量子点材料和器件
参考文献
第五章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料
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