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- 6.1 引言
- 6.2 Ⅲ族氮化物半导体的基本特征
- 6.2.1 Ⅲ族氮化物的晶体结构
- 6.2.2 Ⅲ族氮化物的极化特征
- 6.3 Ⅲ族氮化物材料的制备
- 6.3.1 GaN材料
- 6.3.2 InN材料
- 6.3.3 AlN、AlGaN合金生长及掺杂
- 6.4 GaN基异质结构及相关器件
- 6.4.1 AlGaN/GaN异质结构及相关器件
- 6.4.2 AlN/GaN异质结构及相关器件
- 6.4.3 AlInN/GaN异质结构及相关器件
- 6.5 GaN基量子阱结构及相关器件
- 6.5.1 InGaN/GaN量子阱结构及相关器件
- 6.5.2 AlGaN/GaN量子阱结构及相关器件
- 6.5.3 非极性和半极性氮化物量子阱结构及相关器件
- 参考文献