-
-
- 7.1 SiC的结构和基本性质
- 7.2 SiC单晶材料的研究进展
- 7.3 升华法生长SiC单晶
- 7.3.1 Lely法
- 7.3.2 改进Lely法
- 7.3.3 低微管密度、低位错密度SiC单晶生长探索
- 7.4 不同导电类型SiC单晶生长
- 7.4.1 半绝缘SiC单晶生长技术
- 7.4.2 n型和p型SiC单晶生长技术
- 7.5 溶液法和高温化学气相沉积法生长SiC单晶
- 7.5.1 溶液法生长SiC单晶
- 7.5.2 高温化学气相沉积(HTCVD)法生长SiC单晶
- 7.6 SiC单晶加工技术
- 7.6.1 外延对SiC衬底片的技术要求
- 7.6.2 SiC单晶片的制备工艺路线
- 参考文献