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- 8.1 ZnO的基本结构
- 8.2 ZnO的基本性质
- 8.2.1 ZnO半导体的晶格动力学性质
- 8.2.2 ZnO半导体的光学性质
- 8.2.3 ZnO半导体的电学性质
- 8.3 ZnO单晶的制备技术
- 8.4 ZnO薄膜的外延生长
- 8.4.1 MOCVD生长ZnO薄膜
- 8.4.2 MBE生长ZnO薄膜
- 8.4.3 PLD生长ZnO薄膜
- 8.4.4 磁控溅射生长ZnO薄膜
- 8.5 ZnO薄膜的掺杂与性质
- 8.5.1 ZnO中的本征点缺陷和非故意掺杂
- 8.5.2 ZnO的n型掺杂
- 8.5.3 ZnO的p型掺杂
- 8.5.4 ZnO稀磁半导体
- 8.6 ZnO基三元合金材料
- 8.6.1 Zn1-xMgxO合金
- 8.6.2 Zn1-xCdxO合金
- 8.6.3 Zn1-xBexO合金
- 8.6.4 ZnO1-xXx合金
- 8.7 ZnO基低维结构材料
- 8.7.1 ZnO低维纳米材料的制备方法
- 8.7.2 ZnO低维纳米材料的性质
- 8.8 其他Ⅱ-Ⅵ族半导体材料及其合金材料
- 8.8.1 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料的制备与掺杂
- 8.8.2 Ⅱ-Ⅵ族化合物的光学性质
- 8.8.3 ZnSe基化合物半导体异质结构
- 8.8.4 ZnSe发光器件的寿命限制
- 8.8.5 Ⅱ-Ⅵ族半导体的其他应用
- 参考文献