第九章红外半导体材料

购物车申请加入邮件组 English

高级检索图表检索

半导体材料研究进展(第一卷) 作者：王占国、郑有炓等　　 ISBN：978-7-04-030699-6　出版时间：2011-11-16

全书目录
本章目录

内封

版权

目录

第一章绪论

第二章现代半导体材料制备和表征技术

第三章元素半导体材料锗和硅

第四章硅基异质结构材料

第五章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料

第六章 Ⅲ族氮化物半导体材料

第七章 SiC半导体材料

第八章 Ⅱ-Ⅵ族半导体材料

第九章红外半导体材料

第十章半导体金刚石和立方氮化硼材料

前辅文
- 9.1 概述
- 9.1.1 引言
- 9.1.2 HgCdTe和相关光电传感材料和器件发展概况
- 9.2 能带结构
- 9.2.1 窄禁带半导体能带结构概述
- 9.2.2 能带参数
- 9.3 光学和电学性质
- 9.3.1 光学性质
- 9.3.2 输运性质
- 9.4 红外光电探测器
- 9.4.1 光电导器件
- 9.4.2 光伏器件
- 9.5 相关红外材料
- 9.5.1 半导体低维结构红外材料
- 9.5.2 热敏红外材料
- 9.5.3 红外光学薄膜
- 参考文献

第九章红外半导体材料

Book Metrics 引用导出

点击：次

下载：次

相关资源

相关词条