购物车
申请加入邮件组
English
高级检索
图表检索
首页
图书
期刊
首页
图书
期刊
院士风采
作者服务
订购指南
下载中心
音视频讲座
图片集
书刊相关资料
书刊目录
丛书简介
力学基础与工程技术前沿
半导体物理学(上册)(第二版)
作 者:
叶良修
ISBN:978-7-04-022507-5 出版时间:2007-10-12
全书目录
本章目录
内封
版权
目录
前辅文
重要符号表Ⅰ
第1章 晶格结构和结合性质
第2章 半导体中的电子状态
第3章 电子和空穴的统计平衡分布
第4章 电荷输运现象
第5章 过剩载流子
第6章 接触现象
第7章 半导体表面层和MIS结构
第8章 微结构和超晶格
第9章 半导体的光吸收和光反射
第10章 半导体中的发光现象
索引
重要的物理常量
§3.1 费米分布函数
§3.2 载流子浓度对费米能的依赖关系
§3.3 本征载流子浓度
§3.4 含单一能级杂质情形的统计
§3.5 补偿及多重能级情形的统计
§3.6 简并情形的统计
§3.7 化学势和费米能
§3.8 宽禁带半导体的掺杂问题和自补偿
附录3.1 若干半导体的等效态密度(300K)
第3章参考文献
第3章 电子和空穴的统计平衡分布
PDF在线阅读 (1 MB)
Book Metrics
引用导出
点击:
次
下载:
次
相关资源
相关词条
第3章 电子和空穴的统计平衡分布
引用导出
RIS (for EndNote, Reference Manager, ProCite)
BibTeX
Text