第4章电荷输运现象

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半导体物理学(上册)(第二版) 作者：叶良修　　 ISBN：978-7-04-022507-5　出版时间：2007-10-12

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目录

前辅文

重要符号表Ⅰ

第1章晶格结构和结合性质

第2章半导体中的电子状态

第3章电子和空穴的统计平衡分布

第4章电荷输运现象

第5章过剩载流子

第6章接触现象

第7章半导体表面层和MIS结构

第8章微结构和超晶格

第9章半导体的光吸收和光反射

第10章半导体中的发光现象

索引

重要的物理常量
- §4.1 电导和霍尔效应的分析
- §4.2 载流子的散射
- §4.3 电导统计理论
- §4.4 霍尔效应的统计理论
- §4.5 磁阻
- §4.6 强电场下的载流子输运
- §4.7 漂移速度过冲和近弹道输运
- 附录4.1 微扰势引起的状态之间的跃迁
- 附录4.2 玻尔兹曼积分-微分方程和弛豫时间的存在性
- 附录4.3 电阻率和杂质浓度的对应关系
- 第4章参考文献

第4章电荷输运现象

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