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磁控溅射法生长的带隙可调谐(GaxIn1−x)2O3
张法碧, 孙巾寓, 李海鸥, 周娟, 王荣, 孙堂友, 傅涛, 肖功利, 李琦, 刘兴鹏, 张秀云, 郭道友, 王相虎, 秦祖军
Frontiers of Information Technology & Electronic Engineering. 2021, 22 (10): 1370-1378.
https://doi.org/10.1631/FITEE.2000330
采用磁控溅射技术和热退火技术在(0001)蓝宝石衬底上制备了多组分氧化物(GaxIn1−x)2O3薄膜,实现可调带隙。详细研究了三元化合物(GaxIn1−x)2O3在整个组成范围内的光学性质和能带结构演化。X射线衍射谱表明,Ga含量在0.11至0.55之间的(GaxIn1−x)2O3薄膜既有立方结构,也有单斜结构,而Ga含量高于0.74的(GaxIn1−x)2O3薄膜只有单斜结构。在可见光范围,所有薄膜透光率均高于86%,吸收边清晰,条纹清晰。此外,随着Ga含量增加,紫外吸收边出现380至250 nm的蓝移,表明禁带能从3.61 eV增加至4.64 eV。实验结果为透明导电化合物半导体(GaxIn1−x)2O3薄膜在光电和光伏行业的应用,特别是在显示器、发光二极管和太阳能电池的应用奠定了基础。
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