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用于超导纳米线单光子探测器的宽带超低温放大器
李连鸣, 何龙, 吴旭, 牛晓康, 万超, 康琳, 贾小氢, 张蜡宝, 赵清源, 涂学凑
Frontiers of Information Technology & Electronic Engineering. 2021, 22 (12): 1666-1676.
https://doi.org/10.1631/FITEE.2100525
为有效读出超导纳米线单光子探测器(SNSPD)输出信号,提出一种基于0.13 μm SiGe BiCMOS工艺的低功耗无电感宽带差分超低温放大器。为解决缺少超低温器件精确模型的问题,结合并联—并联反馈和电容耦合超低温放大器结构,通过详细理论分析和仿真,确定了放大器增益与电路可调设计参数间的关系,提高了设计和优化的灵活性,从而实现所需增益。为实现工作频率范围内端口阻抗平坦特性,采用RC并联补偿结构,有效提高了放大器闭环稳定性,并可抑制放大器过冲问题。给出室温(300 K)和低温(4.2 K)下S参数和瞬态性能测试结果。在良好输入输出阻抗匹配下,该放大器在300 K温度下3 dB带宽为1.13 GHz,增益为21 dB。在4.2 K温度下,该放大器增益可在15~24 dB范围内调节,其3 dB带宽为120 kHz~1.3 GHz,功耗仅3.1 mW。去除芯片外围焊盘,该超低温放大器芯片核心面积仅为0.073 mm2。
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